专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]活性测试方法和设备-CN201810209257.6有效
  • 俞炳仁;徐静涛;张超;冯昊;单言虎;郭荣竣;金暎星;张原硕;韩在浚 - 三星电子株式会社
  • 2018-03-14 - 2023-09-05 - G06V40/16
  • 公开了一种活性测试方法和设备。所述活性测试方法包括:针对测试目标检测输入图像中的人脸区域;实现第一活性测试,以基于与检测到的人脸区域对应的第一图像确定第一活性值;实现第二活性测试,以基于与检测到的人脸区域的局部人脸区域对应的第二图像确定第二活性值;实现第三活性测试,以基于输入图像的整体或输入图像的全区域确定第三活性值,其中,输入图像的整体或输入图像的全区域包括检测到的人脸区域以及检测到的人脸区域之外的区域;基于第一活性值、第二活性值和第三活性值,确定活性测试的结果。
  • 活性测试方法设备
  • [发明专利]具有delta掺杂活性区域的波导器件-CN200780033490.3有效
  • J·M·福莱恩德 - 艾格瑞系统有限公司
  • 2007-12-28 - 2009-11-04 - H01S3/14
  • 本发明的实施方式包括具有用于改进的载流子限制的delta掺杂活性区域的激光结构。该激光结构包括n型包层、相邻于n型包层形成的n型波导层、相邻于n型波导层形成的活性区域、相邻于活性区域形成的p型波导层和相邻于p型波导层形成的p型包层。该激光结构配置成使得p型掺杂剂浓度跨活性区域活性区域的n型侧到活性区域的p型侧增加以及/或者n型掺杂剂浓度跨活性区域活性区域的n型侧到活性区域的p型侧减小。delta掺杂的活性区域提供了改进的载流子限制,同时消除了对阻挡层的需要,从而减小了由此造成的对活性区域的应力。
  • 具有delta掺杂活性区域波导器件
  • [发明专利]集成热传感器及其制造工艺-CN202211153035.X在审
  • E·杜奇;M·E·卡斯塔尼亚 - 意法半导体股份有限公司
  • 2022-09-21 - 2023-04-04 - G01J5/12
  • 支撑区域延伸穿过内部空间;多个热电偶元件由支撑区域承载并彼此电耦合。每个热电偶元件分别由第一热电活性材料和第二热电活性材料的第一热电活性区域和第二热电活性区域形成,第一热电活性材料具有第一塞贝克系数,第二热电活性材料具有除第一塞贝克系数之外的第二塞贝克系数。第一热电活性区域和第二热电活性区域中的至少一个是硅基材料。每个热电偶元件的第一热电活性区域和第二热电活性区域由相应的细长区域形成,细长区域从支撑区域并横向于支撑区域以相互距离延伸到壳体的内部空间中。
  • 集成传感器及其制造工艺
  • [实用新型]集成热传感器及器件-CN202222503637.5有效
  • E·杜奇;M·E·卡斯塔尼亚 - 意法半导体股份有限公司
  • 2022-09-21 - 2023-07-07 - G01J5/12
  • 支撑区域延伸穿过内部空间;多个热电偶元件由支撑区域承载并彼此电耦合。每个热电偶元件分别由第一热电活性材料和第二热电活性材料的第一热电活性区域和第二热电活性区域形成,第一热电活性材料具有第一塞贝克系数,第二热电活性材料具有除第一塞贝克系数之外的第二塞贝克系数。第一热电活性区域和第二热电活性区域中的至少一个是硅基材料。每个热电偶元件的第一热电活性区域和第二热电活性区域由相应的细长区域形成,细长区域从支撑区域并横向于支撑区域以相互距离延伸到壳体的内部空间中。
  • 集成传感器器件

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